QM20TD-H304
Modèle de produit QM20TD-H304
Fabricant Mitsubishi
La description IGBT Modules
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Référence fabricant QM20TD-H304 Catégorie Produits semi-conducteurs discrets
Fabricant Mitsubishi Electric Semiconductor La description IGBT Modules
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Modèle de Produit

QM20TD-H304

Introduction

Module IGBT QM20TD-H304 de Mitsubishi Electric Semiconductor

Marque et Fabricant

Mitsubishi Electric Semiconductor

Caractéristiques

Capacité de commutation haute puissance, faible tension de saturation, performances thermiques améliorées, circuit de commande simplifié

Performance du Produit

Conversion d'énergie efficace, stabilité améliorée lors des opérations à forte charge, construction robuste adaptée aux applications industrielles

Spécifications Techniques

Polarité du transistor : N-Channel, Tension de saturation collecteur-émetteur : typ. 2,5 V, Courant de fuite grille-émetteur : max 1 mA

Dimensions, Forme et Conditionnement

Emballage standard des modules, dimensions spécifiques conçues pour une installation facile

Qualité et Fiabilité

Contrôle qualité rigoureux, fiabilité prouvée dans des environnements difficiles, durée de vie opérationnelle prolongée

Avantages du Produit

Efficacité énergétique accrue, design compact, compatible avec les systèmes existants

Compétitivité du Produit

Rapport de dissipation de puissance à taille très compétitif, leader du marché en électronique de puissance

Compatibilité

Interopérabilité avec une large gamme de circuits de commande, tensions de commande de grille standard

Certification et Conformité aux Normes

Respect des normes de l'industrie pour les modules IGBT, certifié pour les applications mondiales

Durée de Vie et Durabilité

Longue durée de vie opérationnelle, fabriqué selon des pratiques de fabrication durables

Champs d'Application Réels

Systèmes d'énergie renouvelable, entraînements de moteurs et onduleurs, solutions de gestion d'énergie

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